采用压力控制器方案，控制往真空腔体内充入的惰性气体的压力以营造一个控制---的镀膜环境。与反应腔体直接连接的外置真空计测量持续的过程压力，该压力读数通过模拟信号传输到压力控制器并显示。
进入腔体内的参与反应的气体的流量由流量控制器控制。因为上述的压力控制器可以测得腔体内的压力、并通过调节非反应类气体的含量实时调节过程压力，派瑞林加工，从而使腔体内形成利于沉积的镀膜环境。
考夫曼离子源是应用较早的离子源。属于栅格式离子源。首先由阴极在离子源内腔产生等离子体，让后由两层或三层阳极栅格将离子从等离子腔体中抽取出来。这种离子源产生的离子方向性强，派瑞林防水圈，离子能量带宽集中，派瑞林绝缘涂层，可广泛应用于真空镀膜中。缺点是阴极（往往是钨丝）在反应气体中很快就烧掉了，另外就是离子流量有---，对需要大离子流量的用户可能不适和。
霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强，霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝（阴极）。
气相沉积与金属喷镀不同，气相沉积不受视线阻碍，需镀膜的产品，其所有的表面皆会被气体单体紧密覆盖，汕尾派瑞林，而达到精细均匀、高的镀膜表层。
对于腐要求的粘结钕铁硼磁体如果使用时（包括装配，焊接）温度不超过130度可以选择采用，---是对于小规格磁体不适用电泳的条件下具有---的效率和---的抗腐蚀能力，可以满足盐雾120小时。
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